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JEDEC正在紧锣密鼓地推进DDR6内存规范的准备工作。
据报道，JEDEC 正在紧锣密鼓地推进DDR6内存规范的准备工作。目前，三大 DRAM 内存原厂已经完成了 DDR6 原型芯片的设计。按照规划，新一代的 DDR 内存有望在 2026 年进行平台测试与验证，并于2027年正式进入大规模导入期。
从技术参数来看，DDR6的性能有了显著提升。与已公布的LPDDR6规范类似，DDR6的单通道位宽提升了50%，达到了96bit。同时，子通道划分也从DDR5时期的2×32bit 细化为4×24bit。在原生频率方面，DDR6起步为 8800MT/s，有望达到17600MT/s。这种位宽的提升和频率的增加，将大幅提高内存的数据传输速度和处理能力，为计算机系统带来更强大的性能支持。
DDR6与LPDDR6位宽的同比变化，对于笔记本电脑SoC等采用双内存规范的平台来说，具有简化设计的优势。这意味着在这些设备上，内存的兼容性和性能表现将得到进一步优化。在模组外形规格方面，由于 DDR6 对信号完整性和 I/O 设计提出了更高的要求，新兴的CAMM系预计将成为主流解决方案，逐渐取代传统的 DIMM 规格。CAMM 系的应用将更好地满足 DDR6 内存的性能需求，提升整个系统的稳定性和可靠性。
LPDDR6内存标准正式发布
不久前，JEDEC固态技术协会正式发布了 JESD209-6，即最新的低功耗双倍数据速率 6（LPDDR6）标准。
JEDEC表示，JESD209-6旨在显著提升多种应用场景（包括移动设备和人工智能）的内存速度与效率，新版JESD209-6 LPDDR6标准是内存技术的重大进步，在性能、能效和安全性方面均有提升。
核心参数方面，LPDDR6的频率将从10667MHz起步，最高可达14400MHz，同时位宽也得到进一步增加，单通道从16bit升级到24bit，四通道内存的手机从64bit升级到96bit，笔记本上则是从128bit升级到192bit，显存带宽显然也是随之大幅提升，对于集成显卡的性能表现有着非常大的助力。
LPDDR6采用双子通道架构，每个子通道有12条数据信号线（DQs），在保持32字节小访问粒度的同时实现灵活操作；每个子通道包含4条命令/地址（CA）信号，减少焊球数量并提高数据访问速度；支持静态效率模式，带来更大容量内存配置支持并最大化存储体资源利用率；灵活的数据访问，支持实时突发长度控制，可实现32B和64B访问；动态写入NT-ODT（非目标片上终端），使内存能根据工作负载需求调整ODT，提升信号完整性。
能效方面，LPDDR6采用更低电压和低功耗的VDD2供电，并强制要求VDD2采用双电源设计；采用交替时钟命令输入，提升性能和能效；低功耗动态电压频率调节（DVFSL），在低频运行时降低VDD2电压，减少功耗；动态效率模式，在低功耗、低带宽场景下采用单子通道接口；支持部分自刷新和主动刷新。这些特性使得LPDDR6拥有更好的能效表现。
安全性方面，LPDDR6也得到了很大提升，新增了每行激活计数的支持（PRAC），增强了DRAM数据完整性；定义隔离元模式，通过为关键任务分配特定内存区域，提升整体系统可靠性；支持可编程链路保护方案和片上纠错码（ECC）；能够支持命令/地址（CA）奇偶校验、错误清理以及内存内置自测试（MBIST），增强错误检测能力和系统可靠性。
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